光電導(dǎo)材料薄膜沉積的PVD工藝參數(shù)優(yōu)化：膜厚均勻性控制

在光電傳感器、太陽(yáng)能電池及柔性電子器件等前沿領(lǐng)域，光電導(dǎo)材料薄膜的膜厚均勻性直接影響器件的光電轉(zhuǎn)換效率、響應(yīng)速度及長(zhǎng)期穩(wěn)定性。物理氣相沉積（PVD）技術(shù)因其低溫沉積、高純度成膜等優(yōu)勢(shì)，成為制備光電導(dǎo)薄膜的核心工藝。然而，膜厚不均勻性導(dǎo)致的器件性能波動(dòng)問(wèn)題仍制約著技術(shù)突破。本文從設(shè)備結(jié)構(gòu)、工藝參數(shù)及過(guò)程監(jiān)控三個(gè)維度，系統(tǒng)闡述PVD工藝參數(shù)優(yōu)化策略，為提升光電導(dǎo)薄膜均勻性提供技術(shù)參考。