新型RAM借力超容技術(shù)實(shí)現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)永存，存儲(chǔ)領(lǐng)域迎來(lái)革命性突破

在數(shù)字時(shí)代，存儲(chǔ)器是電子設(shè)備的核心基石，而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問(wèn)效率，始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)雖具備高速讀寫(xiě)優(yōu)勢(shì)，卻因易失性缺陷，斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失，需依賴(lài)額外存儲(chǔ)介質(zhì)備份;非易失性存儲(chǔ)器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù)，卻存在讀寫(xiě)速度慢、擦寫(xiě)壽命短等瓶頸。如今，新型RAM融合超級(jí)電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲(chǔ)原理，成功打破這一固有矛盾，實(shí)現(xiàn)斷電時(shí)數(shù)據(jù)安全留存，為存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)顛覆性變革。