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跨接

我要報(bào)錯(cuò)

  • 關(guān)于晶振負(fù)載電容和晶振兩邊的電容有何不同？

    晶振負(fù)載電容(CL)與兩端外接電容(通常標(biāo)注為 CL1、CL2)的核心差異始于定義本質(zhì)。負(fù)載電容是晶振出廠時(shí)固化的固有電氣參數(shù)，是跨接晶體兩端的總有效電容等效值，由晶體自身工藝決定，無(wú)法在應(yīng)用中更改。常見標(biāo)準(zhǔn)值為 6pF、12.5pF、16pF、20pF 等，低功耗設(shè)備(如藍(lán)牙耳機(jī)、腕表)多采用 6-12pF 小容量負(fù)載電容，通用電子設(shè)備則以 15-30pF 為主。