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嵌入半導體創(chuàng)新的關鍵節(jié)點：TEL的產品版圖與戰(zhàn)略雄心
當人工智能重塑全球算力格局，半導體產業(yè)正在經歷60年來最深刻的一次技術躍遷。從存儲器的三維堆疊到邏輯芯片的埃級制程，這一次工藝演進的背后，也離不開制造設備的同步革新。在這場產業(yè)變革中，半導體設備巨頭Tokyo Electron(TEL)的身影愈發(fā)關鍵。TEL不僅以92%的涂膠顯影設備市占率領跑光刻工藝配套領域，更以覆蓋成膜、刻蝕、清洗、鍵合等核心工藝的完整產品矩陣，深度嵌入全球主流晶圓廠的生產流程之中。
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TrendForce集邦咨詢: HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預期溢價幅度逾30%
May 22, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術發(fā)展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產品進度。由于HBM4的I/O(輸入/輸出接口)數(shù)增加，復雜的芯片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改采邏輯芯片架構以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。
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ASML發(fā)布2024年第二季度財報 | 凈銷售額62億歐元，凈利潤為16億歐元，預期下半年業(yè)績表現(xiàn)強勁，2024年凈銷售額將與2023年基本持平
荷蘭菲爾德霍芬，2024年7月17日—阿斯麥(ASML)今日發(fā)布2024年第二季度財報。2024年第二季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額62億歐元，毛利率為51.5%，凈利潤達16億歐元。今年第二季度的新增訂單金額為56億歐元2，其中25億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預計2024年第三季度的凈銷售額在67億至73億歐元之間，毛利率介于50%到51%。
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應用材料公司推出用于先進存儲器和邏輯芯片的新型刻蝕系統(tǒng)Sym3?
Sym3? Y專為3D NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點中的關鍵導體刻蝕應用而打造
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三星投1114億美元研發(fā)邏輯芯片，能成功嗎？
由于存儲芯片的價格波動很大，三星電子正在尋求通過擴大更高附加值，來減少公司對存儲芯片市場的嚴重依賴。
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增強產能！SK海力士擬拿下MagnaChip在韓國清州市的晶圓代工廠
據(jù)路透社引述知情人士指出，SK海力士正在考慮收購部分邏輯芯片制造商MagnaChip(美格納)，用于擴大其8英寸晶圓生產線。
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英特爾、三星將目光移向了嵌入式MRAM技術
上周，在第64屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。
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三星、SK海力士開始研發(fā)EUV技術生產DRAM，最快2020年量產
就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術逐漸導入EUV技術之后，存儲器產業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產上，也在研究導入EUV技術。而除了三星之外，韓國另一家存儲器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術來生產DRAM存儲器，未來有機會藉此將生產DRAM的成本降低。
