在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,如高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高耐壓能力等,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。然而,正是由于這些獨(dú)特的性能特點(diǎn),使得碳化硅 MOSFET 在實(shí)際應(yīng)用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn),其中米勒效應(yīng)帶來(lái)的影響尤為突出,這也使得米勒鉗位對(duì)于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
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