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門極電荷

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GaN器件驅(qū)動芯片的選型指南：門極電荷匹配、傳輸延遲與抗干擾性測試

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻和超快開關(guān)速度，在高頻、高功率密度電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，GaN器件的驅(qū)動電路設(shè)計面臨獨特挑戰(zhàn)：其門極電荷特性、傳輸延遲要求及抗干擾能力直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文從門極電荷匹配、傳輸延遲優(yōu)化及抗干擾性測試三個維度，結(jié)合典型應(yīng)用案例，系統(tǒng)闡述GaN驅(qū)動芯片的選型方法。

電源
2025-09-22

GaN 門極電荷
計算IGBT的驅(qū)動功率

對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說，最重要的參數(shù)莫過于門極電荷Qg的大小，同時確定實際的門極輸入電容Cies的大小，因為Datasheet中給到的輸入電容大小一般是個參考值，確定實際門極輸入電容是一重要意義的。

功率器件
2019-07-29

電源技術(shù)解析驅(qū)動功率門極電荷
IGBT的驅(qū)動功率計算方法

在測量電路中，一個25V的電壓加在集電極上，在這種測量方法下測得的結(jié)電容要比Vce=0的時候要小一些，因此，規(guī)格書中的Ciss這個參數(shù)一般用于IGBT相互做對比時使用。

功率器件
2019-07-24

電源技術(shù)解析門極電容門極電荷

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