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GaN器件驅(qū)動(dòng)芯片的選型指南：門極電荷匹配、傳輸延遲與抗干擾性測(cè)試
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻和超快開關(guān)速度，在高頻、高功率密度電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，GaN器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)面臨獨(dú)特挑戰(zhàn)：其門極電荷特性、傳輸延遲要求及抗干擾能力直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文從門極電荷匹配、傳輸延遲優(yōu)化及抗干擾性測(cè)試三個(gè)維度，結(jié)合典型應(yīng)用案例，系統(tǒng)闡述GaN驅(qū)動(dòng)芯片的選型方法。
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計(jì)算IGBT的驅(qū)動(dòng)功率
對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)，最重要的參數(shù)莫過(guò)于門極電荷Qg的大小，同時(shí)確定實(shí)際的門極輸入電容Cies的大小，因?yàn)镈atasheet中給到的輸入電容大小一般是個(gè)參考值，確定實(shí)際門極輸入電容是一重要意義的。
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IGBT的驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算方法
在測(cè)量電路中，一個(gè)25V的電壓加在集電極上，在這種測(cè)量方法下測(cè)得的結(jié)電容要比Vce=0的時(shí)候要小一些，因此，規(guī)格書中的Ciss這個(gè)參數(shù)一般用于IGBT相互做對(duì)比時(shí)使用。
小軒窗
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