氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料,憑借高頻、低損耗、高功率密度的特性,已成為65W快充電源的核心器件。在器件選型中,南芯SC3050與英諾賽科INN650D02是兩款典型代表,前者為高集成度合封芯片,后者為分立式功率器件。本文從器件特性、應(yīng)用場景、系統(tǒng)設(shè)計(jì)三個(gè)維度展開對比分析,為工程師提供選型參考。
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