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3D NAND技術(shù)大戰(zhàn)爆發(fā)前廠商們?cè)谧錾?/a>
平面NAND閃存的量產(chǎn)己經(jīng)達(dá)15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲(chǔ)器的容量及帶寬，向3DNAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢(shì)。但是3DNAND技術(shù)很復(fù)雜，相比較而言由于成品率低，導(dǎo)致成本高。
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