平面NAND閃存的量產己經(jīng)達15納米,幾乎接近它的物理極限,因此為了提高存儲器的容量及帶寬,向3DNAND技術邁進是必然趨勢。但是3DNAND技術很復雜,相比較而言由于成品率低,導致成本高。
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