WBG 材料在 5G 系統(tǒng)中的集成

在連接方面，寬帶隙半導(dǎo)體比傳統(tǒng)硅器件具有顯著優(yōu)勢(shì)，使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中應(yīng)用的理想選擇。隨著時(shí)間的推移，碳化硅和氮化鎵的重要性在這些材料的固有技術(shù)特性以及能源效率和熱管理方面的優(yōu)勢(shì)的支持下，5G 基礎(chǔ)設(shè)施的需求不斷增長(zhǎng)。與前幾代電信相比，向 5G 網(wǎng)絡(luò)的過(guò)渡代表著范式的轉(zhuǎn)變。 5G 網(wǎng)絡(luò)有望顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度、減少延遲并能夠支持無(wú)數(shù)同時(shí)連接的設(shè)備。然而，這些功能需要能夠在苛刻的操作條件下運(yùn)行的高效基礎(chǔ)設(shè)施。