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基于65 nm工藝的SOC物理設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)研究
摘 要：隨工藝的演進，集成電路發(fā)展已經(jīng)進入超深亞微米階段，芯片的成本、，性能、功耗、信號完整性等問題將成 為制約SOC芯片設(shè)計的關(guān)鍵問題。文章基于65GP工藝的實際項目模塊級物理設(shè)計，在現(xiàn)超深亞微米下，對芯片的低功耗、 congestion,信號完整，性等后端物理設(shè)計等關(guān)鍵問題進行了細(xì)致研究，并提出了一些新方法和新思想，從而提高了signoff的交 付質(zhì)量，完成了tapeout要求。
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