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7+nm

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  • 臺(tái)積電EUV工藝7+nm投片,明年4月試產(chǎn)EUV 5nm

    在工藝技術(shù)方面,臺(tái)積電宣布以N7+工藝節(jié)點(diǎn)投片客戶芯片,該工藝節(jié)點(diǎn)采用可處理4層光罩的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達(dá)14層光罩,并將在明年4月準(zhǔn)備好進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。透過(guò)EUV技術(shù)可望減少先進(jìn)設(shè)計(jì)所需的光罩?jǐn)?shù),從而降低成本。