早在今年的FMS國際閃存會議上,SK Hynix就宣告了業(yè)界首個基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存,日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn),目前主要是TLC類型,96層堆棧,512Gb核心容量,使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積,讀取、寫入速度分別提升30%、25%。
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