東科DK065G氮化鎵合封芯片內(nèi)部集成了650V耐壓,導(dǎo)阻260mΩ的氮化鎵開(kāi)關(guān)管,并集成高性能反激控制器,支持谷底開(kāi)通降低損耗。
《21ic技術(shù)洞察》系列欄目第二期:工業(yè)自動(dòng)化中的AI視覺(jué)系統(tǒng)
朱老師教學(xué)之嵌入式linux C編程基礎(chǔ)
正點(diǎn)原子-手把手教你學(xué)ALIENTEK STemWin
手把手教你學(xué)STM32-ALIENTEK UCOS學(xué)習(xí)視頻
跟我學(xué)DC-DC電源管理技術(shù)——第二章,DC-DC的工程實(shí)踐
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯(cuò)誤 其它
本站介紹 | 申請(qǐng)友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠(chéng)聘英才
ICP許可證號(hào):京ICP證070360號(hào) 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報(bào)窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號(hào)