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先進工藝節(jié)點BTI/HCI效應建模：老化感知的時序收斂方法
隨著7nm及以下工藝節(jié)點的普及，負偏置溫度不穩(wěn)定性（NBTI/PBTI）和熱載流子注入（HCI）效應已成為影響芯片長期可靠性的關鍵因素。本文提出一種基于物理機理的老化感知時序收斂方法，通過建立BTI/HCI聯(lián)合老化模型，結合靜態(tài)時序分析（STA）與動態(tài)老化追蹤技術，實現(xiàn)從設計階段到簽核階段的全流程老化防護。實驗表明，該方法可使芯片在10年壽命周期內(nèi)的時序違規(guī)率降低92%，同時保持小于5%的面積開銷。
