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EM/IR壓降分析：芯片頂層金屬線的電遷移規(guī)則檢查與修復(fù)
在先進/制程芯片中，頂層金屬（Top Metal）猶如城市的“高架橋”，承載著全芯片龐大的電流吞吐。然而，隨著工藝節(jié)點微縮，金屬線寬度并未同比例縮小，導(dǎo)致電流密度（Current Density）急劇上升。電遷移（EM）與IR壓降成為威脅芯片壽命的“隱形殺手”。一旦頂層金屬發(fā)生EM斷裂或因IR壓降導(dǎo)致邏輯電平漂移，整個芯片將瞬間癱瘓。因此，精準(zhǔn)的規(guī)則檢查與修復(fù)是簽核階段的重中之重。
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民航FA16接入網(wǎng)VHF傳輸測試研究
摘 要：針對民航FA16接入網(wǎng)，通過建立仿真實驗，對不同的VHF業(yè)務(wù)應(yīng)用板卡進行對比測試，總結(jié)出相關(guān)使用經(jīng)驗，這對于其他行業(yè)的E&M接口應(yīng)用也具有一定的借鑒意義。
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Digi-Key斬獲Electronics Maker雜志2019年度電子元器件分銷商獎
美國,明尼蘇達州,錫夫里弗福爾斯市–全球電子元器件分銷商Digi-Key Electronics斬獲Electronics Maker(EM)雜志最佳行業(yè)大獎“2019 年度電子元器件分銷商獎”。
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通過EM仿真器對聲/電設(shè)計進行建模
在廣泛的高頻結(jié)構(gòu)建模中，ＥＭ仿真器這一強大工具結(jié)合了具有直觀界面和易于使用的聲學(xué)、機械及電氣設(shè)計組件。在高頻器件建立之前，仿真高頻器件有助于避免設(shè)計和制造中的陷阱。所幸的是，預(yù)測ＲＦ和微波電路行為的工
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