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顯示設備EMI抑制的PCB布線規(guī)則：差分對走線與屏蔽層設計
在顯示設備的高速信號傳輸中，電磁干擾（EMI）已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。通過優(yōu)化PCB布線規(guī)則，特別是差分對走線與屏蔽層設計，可有效降低輻射發(fā)射強度并提升信號完整性。本文結合工程實踐，解析這兩項關鍵技術的實現(xiàn)路徑。
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壽命極長，Vishay 推出新款汽車級EMI抑制薄膜電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型F339X2 305VAC系列汽車級X2電磁干擾(EMI)抑制薄膜電容器，該器件符合跨接電路應用(50 Hz / 60 Hz)標準，通過AEC-Q200(D版)和IEC 60384-14: 2013 / AMD1: 2016 IIB級認證。
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薄膜電容器: 額定電壓更高的堅固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應用于EMI抑制的新型愛普科斯 (EPCOS) MKP(金屬化聚丙烯)Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號相比，新型電容器的額定工作電壓高達350 V AC，電容值范圍為4.7 nF至1.2μF，可在嚴苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。
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從傳輸線參數(shù)的角度分析EMI抑制問題
做好PCB設計絕對是一名電子工程師成功向高手進階的證明之一，如果能在做好PCB設計的同時控制好電路板中的EMI，那么更是證明了設計者的實力。
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Vishay發(fā)布環(huán)保型EMI抑制薄膜電容器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列X1電磁干擾(EMI)抑制薄膜電容器---F339X1，電壓等級為330VAC和480VAC，可用于工業(yè)功率電子產(chǎn)品中標準的X1跨線路
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Vishay發(fā)布環(huán)保型EMI抑制薄膜電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新系列X1電磁干擾(EMI)抑制薄膜電容器---F339X1，電壓等級為330VAC和480VAC，可用于工業(yè)功率電子產(chǎn)品中標準的X1跨線路應用(50Hz/60Hz)。 今
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D類放大器及EMI抑制
前言 在日新月異的多媒體時代，便攜式電子產(chǎn)品，如智能電話、PDA、MP3、PMP、DSC、DVC、NB等多媒體產(chǎn)品，對聲音質量的要求越來越嚴格。另外，由于此類產(chǎn)品為電池供電，除了要求音質的再突破外，也要求整體效率的提
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D類放大器及EMI抑制
前言 在日新月異的多媒體時代，便攜式電子產(chǎn)品，如智能電話、PDA、MP3、PMP、DSC、DVC、NB等多媒體產(chǎn)品，對聲音質量的要求越來越嚴格。另外，由于此類產(chǎn)品為電池供電，除了要求音質的再突破外，也要求整體效率的提
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開關電源EMI抑制措施介紹
電磁兼容的三要素是干擾源、耦合通路和敏感體，抑制以上任何一項都可以減少電磁干擾問題。開關電源工作在高電壓大電流的高頻開關狀態(tài)時，其引起的電磁兼容性問題是比較復雜的。但是，仍符合基本的電磁干擾模型，可以
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開關電源的EMI抑制措施
電磁兼容的三要素是干擾源、耦合通路和敏感體，抑制以上任何一項都可以減少電磁干擾問題。開關電源工作在高電壓大電流的高頻開關狀態(tài)時，其引起的電磁兼容性問題是比較復雜的。但是，仍符合基本的電磁干擾模型，可以
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開關電源中開關管及二極管 EMI抑制方法分析
摘要：隨著電子技術的不斷進步,開關電源向高頻化、高效化方向迅猛發(fā)展，EMI抑制已成為開關電源設計的重要指標。本文結合開關電源中開關管及二極管EMI產(chǎn)生機理，列舉出：并接吸收電路、串接可飽和磁芯線圈、傳統(tǒng)準諧振
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開關電源EMI抑制措施
電磁兼容的三要素是干擾源、耦合通路和敏感體，抑制以上任何一項都可以減少電磁干擾問題。開關電源工作在高電壓大電流的高頻開關狀態(tài)時，其引起的電磁兼容性問題是比較復雜的。但是，仍符合基本的電磁干擾模型，可以
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開關電源EMI抑制措施
電磁兼容的三要素是干擾源、耦合通路和敏感體，抑制以上任何一項都可以減少電磁干擾問題。開關電源工作在高電壓大電流的高頻開關狀態(tài)時，其引起的電磁兼容性問題是比較復雜的。但是，仍符合基本的電磁干擾模型，可以
