破解GaN器件測(cè)試難題，負(fù)載牽引系統(tǒng)與VNA的集成化解決方案

在5G基站、新能源汽車(chē)、雷達(dá)系統(tǒng)等高端應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)功率器件憑借其高擊穿電壓、高電子遷移率、高開(kāi)關(guān)頻率等特性，成為推動(dòng)技術(shù)革新的核心元件。然而，GaN器件的測(cè)試卻面臨“高頻大信號(hào)下的精準(zhǔn)表征”這一世界級(jí)難題——傳統(tǒng)測(cè)試方法在動(dòng)態(tài)參數(shù)提取、諧波阻抗優(yōu)化、大功率信號(hào)處理等環(huán)節(jié)頻現(xiàn)“盲區(qū)”，導(dǎo)致設(shè)計(jì)迭代周期延長(zhǎng)、產(chǎn)品良率波動(dòng)。負(fù)載牽引系統(tǒng)與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)的集成化解決方案，正以“全鏈路動(dòng)態(tài)建?！钡男路妒?，為GaN器件測(cè)試開(kāi)辟一條精準(zhǔn)、高效、可擴(kuò)展的新路徑。