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GaN開關(guān)

我要報(bào)錯(cuò)

  • 瑞薩電子推出首款650V雙向GaN開關(guān)，標(biāo)志著功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)規(guī)范的重大變革

    2026 年 3 月 23 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE：6723)今日宣布，推出業(yè)界首款采用耗盡型(d-mode)氮化鎵(GaN)技術(shù)的雙向開關(guān)——TP65B110HRU：該產(chǎn)品能夠在單一器件中阻斷正負(fù)電流的功能。該款器件主要應(yīng)用于單級(jí)太陽能微型逆變器、人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車車載充電器等系統(tǒng)，可大幅簡(jiǎn)化功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，以單個(gè)低損耗、高速開關(guān)且易驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品替代傳統(tǒng)背靠背FET開關(guān)。

  • 開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)

    在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。