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GaN轉(zhuǎn)換器

我要報(bào)錯(cuò)

  • 低壓GaN轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)和測(cè)量

    氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)相較于硅FET，開(kāi)關(guān)速度更快，封裝更小，功率損耗更低。這些特性使得電源轉(zhuǎn)換器能夠在更高頻率下運(yùn)行，從而既能減小整體解決方案尺寸，又能保持高效率。雖然DC/DC轉(zhuǎn)換器的基本設(shè)計(jì)保持不變，但GaN帶來(lái)了額外的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)。其中一個(gè)較為關(guān)鍵的挑戰(zhàn)是對(duì)柵極電壓和時(shí)序進(jìn)行精準(zhǔn)控制。這種控制可能很有難度，原因在于開(kāi)關(guān)時(shí)間可能超過(guò)了傳統(tǒng)控制器和測(cè)試設(shè)備的處理能力。幸運(yùn)的是，GaN專(zhuān)用的控制器和測(cè)量技術(shù)能夠解決這些問(wèn)題，并確保電源設(shè)計(jì)穩(wěn)健可靠，同時(shí)不會(huì)增加額外的復(fù)雜性。

  • 借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度

    如今，充電器和適配器應(yīng)用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫菧?zhǔn)諧振(QR)反激式拓?fù)洌驗(yàn)樗Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制簡(jiǎn)便、物料(BOM)成本較低，并可通過(guò)波谷切換工作實(shí)現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開(kāi)關(guān)頻率，從而限制了功率密度。