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Bourns 亮相 2025 印度慕尼黑電子展 全新組件、GaN 電源與高效過(guò)溫保護(hù)技術(shù)登場(chǎng)
Bourns 將首次展示印度設(shè)計(jì)中心的設(shè)計(jì)與研發(fā)能力
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用于空間應(yīng)用的 GaN 電源設(shè)計(jì)的問(wèn)答
與需要定制制造工藝和封裝以使半導(dǎo)體免受輻射影響的硅不同，氮化鎵 (GaN) 器件由于物理特性和結(jié)構(gòu)而在很大程度上能夠抵抗輻射造成的損壞。 這些屬性可以在衛(wèi)星設(shè)計(jì)中加以利用。軌道電子必須承受伽馬射線、中子和重離子的影響。質(zhì)子占 空間輻射的 85% ，而較重的原子核占其余部分。輻射會(huì)惡化，中斷敲除衛(wèi)星電子元件。
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