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X波段GaN基微波功率放大器的設計
摘要：給出了一種X波段GaN基功率放大器的設計方法。研究了相關的偏置電路、匹配網絡以及穩(wěn)定性網絡，實現(xiàn)了6個GaNHEMT器件的功率合成。該方法在偏置VGS=-3.2V,VDS=6V,/DS=200mA,頻率為8GHz時，可以仿真得到的放大器增益為20.380dB,飽和輸出功率可以達到35.268dBm(約為3.36W)。
摘要：給出了一種X波段GaN基功率放大器的設計方法。研究了相關的偏置電路、匹配網絡以及穩(wěn)定性網絡，實現(xiàn)了6個GaNHEMT器件的功率合成。該方法在偏置VGS=-3.2V,VDS=6V,/DS=200mA,頻率為8GHz時，可以仿真得到的放大器增益為20.380dB,飽和輸出功率可以達到35.268dBm(約為3.36W)。
