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在電子器件高密度、高頻化演進的進程中，IGBT和MOSFET成為核心器件
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。
巧克力娃娃
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