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MOS 管

我要報(bào)錯(cuò)

  • MOS 管關(guān)斷緩慢：恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點(diǎn)的發(fā)熱困境及解決方案

    在電力電子電路中，MOS 管作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)特性直接決定了電路的效率、穩(wěn)定性與可靠性。然而在實(shí)際應(yīng)用中，“關(guān)斷緩慢” 引發(fā)的嚴(yán)重發(fā)熱問題屢見不鮮，尤其當(dāng) MOS 管在關(guān)斷過程中長時(shí)間徘徊于恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點(diǎn)時(shí)，功率損耗會(huì)急劇上升，不僅影響器件壽命，還可能導(dǎo)致電路故障。本文將深入剖析這一現(xiàn)象的本質(zhì)、成因，并提出針對(duì)性的優(yōu)化方案，為工程實(shí)踐提供參考。

  • 高性價(jià)比高效率穩(wěn)定 N 通道 MOS 管 - HC025N10L：支持 60V/70V/80V/100V 45A 大電流方案

    在電子設(shè)備不斷向小型化、高效化發(fā)展的今天，對(duì)于關(guān)鍵電子元件的性能要求也日益嚴(yán)苛。MOS 管作為電子電路中極為重要的一員，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)電路系統(tǒng)的表現(xiàn)。其中，惠海半導(dǎo)體推出的 HC025N10L N 通道 MOS 管，憑借其在高耐壓、大電流處理能力以及出色的性價(jià)比和穩(wěn)定性方面的卓越表現(xiàn)，成為眾多電子設(shè)計(jì)工程師的優(yōu)選方案。

  • 一文深入分析功率MOS管會(huì)被燒毀的原因

    MOS 管在工作過程中會(huì)產(chǎn)生一定的熱量，尤其是在大功率應(yīng)用場(chǎng)景中，熱量的積累如果不能及時(shí)散發(fā)出去，會(huì)使 MOS 管的結(jié)溫不斷升高。當(dāng)結(jié)溫超過其額定結(jié)溫時(shí)，MOS 管的性能會(huì)受到嚴(yán)重影響，甚至?xí)?dǎo)致器件損壞。散熱不良可能是由于散熱片選型不當(dāng)、散熱片與 MOS 管之間的導(dǎo)熱硅脂涂抹不均勻、電路板的散熱設(shè)計(jì)不合理等原因造成的。

  • MOS 管導(dǎo)通條件深度解析：從原理到應(yīng)用

    在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域，MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。從智能手機(jī)到計(jì)算機(jī)主板，從電源管理到功率放大，MOS 管都扮演著不可或缺的角色。然而，對(duì)于許多電子技術(shù)初學(xué)者甚至部分從業(yè)者來說，MOS 管的導(dǎo)通條件始終是一個(gè)令人困惑的問題。本文將深入探討 MOS 管的導(dǎo)通條件，揭開其神秘的面紗。

  • 低邊驅(qū)動(dòng)芯片的鉗位保護(hù)為什么都是鉗位到 MOS 管的柵極?

    在電子電路領(lǐng)域，低邊驅(qū)動(dòng)芯片被廣泛應(yīng)用于各種功率驅(qū)動(dòng)電路中，它負(fù)責(zé)控制功率 MOS 管的導(dǎo)通與截止，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的有效驅(qū)動(dòng)。而在低邊驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)中，鉗位保護(hù)通常都將電壓鉗位到 MOS 管的柵極，這一設(shè)計(jì)選擇并非偶然，而是基于 MOS 管的工作特性、低邊驅(qū)動(dòng)芯片的功能需求以及整個(gè)電路的穩(wěn)定性和可靠性等多方面因素綜合考量的結(jié)果。

  • 三極管和 MOS 管控制區(qū)別

    在電子電路領(lǐng)域，三極管和 MOS 管作為兩種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計(jì)中。它們?cè)趯?shí)現(xiàn)電路功能時(shí)發(fā)揮著關(guān)鍵作用，但在控制方式上存在諸多明顯區(qū)別。深入了解這些區(qū)別，對(duì)于工程師進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)、優(yōu)化電路性能以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。

  • PD 快充中 VBUS MOS 管的作用

    隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和快速發(fā)展，對(duì)充電速度的要求越來越高?？斐浼夹g(shù)不斷演進(jìn)，其中 PD(功率傳輸協(xié)議)快充成為主流。在 PD 快充系統(tǒng)中，VBUS(電壓總線) MOS 管起著關(guān)鍵作用。它不僅影響著充電的效率和安全性，還對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能有著重要影響。

  • 推挽升壓電路 MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的原因分析

    推挽升壓電路在各種電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用，它能夠?qū)⑤斎氲闹绷麟妷恨D(zhuǎn)換為較高的直流電壓。然而，在實(shí)際運(yùn)行過程中，MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的問題常常困擾著工程師們。這不僅影響電路的性能和穩(wěn)定性，還可能導(dǎo)致設(shè)備故障。因此，深入分析 MOS 管發(fā)熱的原因具有重要意義。

  • MOS 管工作原理是什么？MOS管如何使用（含電路圖）

    一直以來，MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

  • 多頻振動(dòng)排石儀控制系統(tǒng)

    摘 要 ：作為自動(dòng)醫(yī)療設(shè)備，振動(dòng)排石儀被廣泛應(yīng)用于臨床實(shí)踐中。但目前市場(chǎng)上的醫(yī)用振動(dòng)排石儀大多設(shè)計(jì)簡單、操作繁瑣且缺乏穩(wěn)定性。為克服上述問題，設(shè)計(jì)了一個(gè)穩(wěn)定便捷的振動(dòng)排石儀。排石儀采用 STM32F103 微控制器作為核心，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和數(shù)據(jù)處理。通過可變 PWM 波的占空比來控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。排石儀控制系統(tǒng)使用 MOS 管 IRF840 構(gòu)建驅(qū)動(dòng)電路。電機(jī)速度由速度采集電路反饋給微控制器，構(gòu)建閉環(huán)控制系統(tǒng)以調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速。采用藍(lán)牙模塊實(shí)現(xiàn)無線數(shù)據(jù)的收發(fā)。排石儀操作簡單，僅需觸屏即可控制，并通過液晶顯示屏顯示出來 ；電路安全可靠，包含多種保護(hù)和報(bào)警電路設(shè)計(jì) ；系統(tǒng)采用 PID 算法調(diào)節(jié)振動(dòng)頻率，具有穩(wěn)定、調(diào)速快捷等優(yōu)點(diǎn)。