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比較 N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET：哪種最適合您的應用？
它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別：p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數電荷載流子，產生空穴電流，而 n 通道器件利用電子，產生電子電流。由于電子的遷移率較高，約為空穴的兩到三倍，因此在 p 通道器件中移動空穴比在 n 通道器件中移動電子更具挑戰(zhàn)性。
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提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET，你知道嗎？
你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。
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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率
–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品線–
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東芝面向汽車應用推出40V N溝道低導通電阻功率MOSFET
21ic訊東芝公司旗下半導體與存儲產品公司今日宣布面向直流-直流轉換器、電動助力轉向系統(tǒng)(EPS)大容量電機驅動器和半導體繼電器等汽車應用推出40V N溝道功率MOSFET。MOSFET產品陣容的最新產品“TKR74F04PB”出貨即日啟動。
