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RCD緩沖

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  • 開關電源MOSFET驅(qū)動電路的RCD緩沖設計詳解

    在開關電源設計中，MOSFET作為核心開關器件，其開關過程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護MOSFET的關鍵技術。本文從工作原理、參數(shù)設計、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設計要點。