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中國公司實(shí)現(xiàn)SOT-MRAM存儲關(guān)鍵突破
12月26日消息，據(jù)媒體報道，在國際微電子領(lǐng)域頂級學(xué)術(shù)會議IEDM第70屆年度會議上，來自中國的浙江馳拓科技發(fā)布了一項(xiàng)突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機(jī)存取存儲器)技術(shù)進(jìn)展，解決了該技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。
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