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J-STD-002 CN標(biāo)準(zhǔn)即將面市
J-STD-002 CN標(biāo)準(zhǔn)即將面市
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羅德與施瓦茨攜手ASTRI演示LTE-TDD測試解決方案
在巴塞羅那舉行的全球移動大會（Mobile World Congress）上羅德與施瓦茨公司攜手香港應(yīng)用科技研究所ASTRI（Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute），共同展示了LTE-TDD標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研發(fā)的最新進(jìn)
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俄羅斯成功發(fā)射一顆美國商業(yè)通信衛(wèi)星
俄羅斯聯(lián)邦航天署26日宣布，俄羅斯當(dāng)天晚間從哈薩克斯坦境內(nèi)的拜科努爾航天發(fā)射場用“天頂－3SLB”運(yùn)載火箭成功發(fā)射一顆美國商業(yè)通信衛(wèi)星。國際文傳電訊社援引俄聯(lián)邦航天署的消息報道，火箭于莫斯科時間26
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英特爾：不會放棄MID平臺和WiMAX技術(shù)
面對不少合作伙伴對Moorestown和WiMAX的擔(dān)心，Intel近日重申了對第二代MID平臺和下一代無線通信技術(shù)的長期支持，MID平臺的開發(fā)和WiMAX技術(shù)的推廣都會繼續(xù)。 Intel在臺灣的部分合作伙伴認(rèn)為，Intel可能會在今年底重
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臺灣聲寶將代工夏普42英寸、46英寸液晶電視
2月23日消息，據(jù)臺灣媒體報道，中國臺灣OEM商聲寶日前與日本夏普公司達(dá)成廣泛合作協(xié)議，聲寶旗下公司瑞智精密近期斬獲夏普25萬臺變頻壓縮機(jī)訂單，價值6億新臺幣（約合1.18億人民幣）。同時，聲寶獲準(zhǔn)代工夏普42英寸、
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全新手機(jī)內(nèi)部保護(hù)芯片（ST）
為支持減少因手機(jī)、GPS接收機(jī)、個人媒體播放器等便攜設(shè)備淘汰而丟棄的充電器的數(shù)量，意法半導(dǎo)體推出性能增強(qiáng)而尺寸縮小的電路保護(hù)芯片，使手機(jī)可以安全使用通用充電器。 預(yù)計2010年全球手機(jī)的出貨量將至少達(dá)10億支，
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沃達(dá)豐宣布在英國裁員500人 后勤最受沖擊
2月25日消息，正如大家預(yù)期的那樣，歐洲最大的移動網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商沃達(dá)豐集團(tuán)日前宣布，為了降低成本，公司將在英國裁員大約500人。目前，該公司在英國現(xiàn)有雇員約1萬人。據(jù)國外媒體報道，預(yù)計沃達(dá)豐集團(tuán)旗下的所有業(yè)務(wù)都將
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大唐電信年報造假被股民起訴索賠損失
ST大唐2004年年報虛增利潤3718萬元，被兩名散戶訴至法院，要求賠償股票損失。昨日上午，北京市一中院開庭審理了此案。年報虛增利潤被罰30萬元股民徐正茂稱，ST大唐上市時名為大唐電信，他從1999年開始購買其股票，原
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ST積極推動電子產(chǎn)業(yè)Green Power創(chuàng)新發(fā)展
意法半導(dǎo)體（ST）于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009，集中演示基于“Green Power”理念的系列節(jié)能產(chǎn)品及解決方案。三十余款產(chǎn)品的現(xiàn)場演示將展示意法半導(dǎo)業(yè)界最領(lǐng)先的電源管理解決方案，體現(xiàn)意法半導(dǎo)體致力于幫助
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法國Yenista收購安立光測試業(yè)務(wù)
2/23/2009，Yenista光學(xué)公司和安立公司1月30日達(dá)成協(xié)議，安立將向Yenista公司轉(zhuǎn)讓若干光測量儀器產(chǎn)品線，包括可調(diào)激光器，可調(diào)濾波器，光元件分析儀MT9820等。雙方承諾將會保證這些產(chǎn)品安立原有客戶所獲得的服務(wù)。 安
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高速寬帶放大器（ST）
意法半導(dǎo)體全新的TS617支持高達(dá)200MHz的開關(guān)頻率，可滿足速度更快的寬帶服務(wù)的需求，例如， 24Mbit/s 的ADSL2+和下載和上傳速度高達(dá)100Mbit/s的VDSL。TS617還可用于基于HomePlug 1.0和HomePlugAV標(biāo)準(zhǔn)的寬帶電力線網(wǎng)絡(luò)
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歐盟考慮竊聽網(wǎng)絡(luò)IP電話 以打擊有組織犯罪
北京時間2月22日消息，據(jù)國外媒體報道，歐洲刑事司法組織（Eurojust）已于20日正式啟動一項計劃，對執(zhí)法機(jī)構(gòu)竊聽網(wǎng)絡(luò)語音電話的可行性進(jìn)行研究。應(yīng)意大利反“黑手黨”部門的請求，此次研究活動將由意大利駐
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最新MDmesh V功率MOSFET技術(shù)（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和
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