在消費(fèi)電子領(lǐng)域,超薄化與高功率密度已成為快充電源設(shè)計的核心趨勢。以65W氮化鎵(GaN)快充為例,其功率密度已突破1.8W/cm3,厚度壓縮至10mm以內(nèi)。這一突破性進(jìn)展的背后,平面變壓器憑借其高頻適配性、低寄生參數(shù)特性及立體散熱能力,成為替代傳統(tǒng)繞線式變壓器的關(guān)鍵元件。本文以伍爾特電子WE-PD系列與TDK B86303系列平面變壓器為例,解析其在超薄65W快充中的寄生電容抑制技術(shù)差異。
《21ic技術(shù)洞察》系列欄目第二期:工業(yè)自動化中的AI視覺系統(tǒng)
PCB阻抗設(shè)計與計算
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