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首先ALN MOSFET展示承諾和挑戰(zhàn)
超寬的帶隙(UWBG)材料可以擴大寬帶蓋(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供的改進范圍。在本文中，我們總結(jié)了基于UWBG鋁(ALN)的MOSFET設(shè)備的最初初始演示 。開創(chuàng)性的工作突出了在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用該材料的一些承諾和挑戰(zhàn)。
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