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hbm2e內(nèi)存

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日前，三星宣布推出業(yè)界首款第三代HBM2E內(nèi)存，新的HBM2E內(nèi)存由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成，單個封裝可以達到16GB的總?cè)萘?，并且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。新型Flashbolt準備提供前一代8GB HBM2“ Aquab

半導體
2020-02-05

三星內(nèi)存 hbm2e內(nèi)存

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