垂直GAN晶體管技術(shù)發(fā)展的進(jìn)步
使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換
通過(guò)自動(dòng)動(dòng)態(tài)開關(guān)測(cè)試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
雙向GaN功率IC有何用途?
提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時(shí)間
集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過(guò)壓穩(wěn)定性
我們能獲得更好的音頻放大器嗎?是的,用氮化鎵!
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
氮化鎵功率技術(shù)大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
智能道閘系統(tǒng)二次開發(fā)熟悉linux系統(tǒng)
預(yù)算:¥8000尋求成熟的 3.5kW 半橋電磁爐電路方案設(shè)計(jì)
預(yù)算:¥50000基于心電信號(hào)或肌電信號(hào)的精神疲勞度檢測(cè)模塊
預(yù)算:¥60000