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高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化
早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿
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