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SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較
引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為Super Junction MOS(以下簡(jiǎn)稱SJ-MOS),其導(dǎo)通電阻與反向擊穿
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