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臺積電N7+工藝節(jié)點(diǎn)明年量產(chǎn)
在工藝技術(shù)方面，臺積電宣布以N7+工藝節(jié)點(diǎn)投片客戶芯片，該工藝節(jié)點(diǎn)采用可處理4層掩膜的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達(dá)14層掩膜，并將在明年4月準(zhǔn)備好進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn)。通過EUV技術(shù)可望減少先進(jìn)設(shè)計所需的掩膜數(shù)，從而降低成本。
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