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三菱電機與東京大學(xué)合作，提出提高SiC功率半導(dǎo)體可靠性的新機制。
在該項機制中，在SiC中適量的硫離子和分布在一定程度上阻擋了界面附近的電子，因此在不影響導(dǎo)通電阻的情況下可以增加閾值電壓。人們目前正積極尋求能夠提供這種電特性的合適原子來實現(xiàn)抵抗外部電磁噪聲的影響而不易發(fā)生故障的裝置。在這方面，新機制比傳統(tǒng)機制更優(yōu)異，并且可以保持低導(dǎo)通電阻。
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