-
STT-MRAM自旋磁阻內存升級GF 12nm工藝
MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內存，但同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據，綜合了傳統(tǒng)內存、閃存的優(yōu)點。
-
第二代STT-MRAM自旋磁阻內存試產：不怕掉電 有望變革SSD
專注于MRAM(磁阻內存)研究的Everspin最近宣布，繼去年底首次提供預產樣品之后，現(xiàn)在已經開始試產第二代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，In
