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vdmr8m32

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  • 基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究

    摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM),可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細(xì)

  • 基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究

    VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM),可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究,提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)0測(cè)試,全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)1,以棋盤(pán)格方式進(jìn)行全空間讀寫(xiě)測(cè)試。另外,針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù),如TAVQV(地址有效到數(shù)據(jù)有效的時(shí)間)、TELQV(片選使能到數(shù)據(jù)有效的時(shí)間)、TGLQV(輸出使能到輸出數(shù)據(jù)有效的時(shí)間)等,使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì),完成MRAM的時(shí)序配合,從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。