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VLT技術顛覆傳統(tǒng)DRAM結構

DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導致數(shù)據出錯，因此電容必須被周期性的刷新，這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過

21ic專訪
2016-10-20

DRAM 技術專訪 vlt 無電容