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[導讀]碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關性能,能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關頻率。不過,SiC要求在更緊湊的設計中能夠獲得更快速的短路保護,這對門極驅動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構中支持各種不同的門極電壓。

碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關性能,能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關頻率。不過,SiC要求在更緊湊的設計中能夠獲得更快速的短路保護,這對門極驅動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構中支持各種不同的門極電壓。

全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器可最大程度提高效率及安全性

PI全新的SIC1182K SCALE-iDriver? IC 是一款市售可提供高效率的單通道SiC MOSFET門極驅動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。它經(jīng)過設定后可支持不同的門極驅動電壓,來滿足市售SiC MOSFET的需求。

SIC1182K采用PI的FluxLink?通信技術,可顯著提高可靠性并提供1200V加強絕緣。 完善的保護特性包括:

?高級有源鉗位(AAC)

?超快速短路檢測

?過流故障關斷

?原方和副方欠壓保護(UVLO)

其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源。


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