據(jù)AnandTech報(bào)道， 臺(tái)積電悄悄推出了性能增強(qiáng)的 7nm 深紫外（N7 / DUV）和 5nm 極紫外（N5 / EUV）制造工藝—N7P 和 N5P 。該公司的 N7P 和 N5P 技術(shù)專為那些需要運(yùn)行更快、功耗更低的客戶而設(shè)計(jì)。

據(jù)了解，盡管 N7P 與 N7 的設(shè)計(jì)規(guī)則相同，但新工藝優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在相同功率下將性能提升 7%、或在同頻下降低 10% 的功耗。

在日本舉辦的 2019 VLSI 研討會(huì)上，臺(tái)積電透露該公司客戶已經(jīng)可以使用新工藝，但該公司并未對(duì)此技術(shù)做大規(guī)模宣傳。

據(jù)悉，N7P 采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)。與 N7 相比，它沒(méi)有增加晶體管的密度。也因?yàn)檫@一原因，需要晶體管密度提高18~20％的臺(tái)積電客戶預(yù)計(jì)將使用N7+和N6工藝。

對(duì)臺(tái)積電而言，盡管 N7 和 N6 工藝將是未來(lái)幾年的“長(zhǎng)”節(jié)點(diǎn)技術(shù)，但臺(tái)積電下一個(gè)密度、功耗和性能顯著提高的主要節(jié)點(diǎn)將會(huì)是N5。

同樣地，臺(tái)積電也將推出5nm工藝的增強(qiáng)版本，即 N5P。N5P也將采取FEOL 和 MOL 優(yōu)化，以便讓芯片能夠在相同功率下提升 7% 的性能，或在同頻下降低 15% 的功耗。