在今天開幕的2019世界制造業(yè)大會上，專注內存研發(fā)生產的合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內存芯片自主制造項目投產，將生產國產第一代10nm級8Gb DDR4內存。

根據合肥長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，該項目以打造設計和制造一體化的內存芯片國產化制造基地為目標，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。

朱一明表示，“投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產?！?/p>

對于此前外界最為關心的良率問題，合肥長鑫沒有公布具體的數(shù)據，但是宣稱其10nm級內存已經獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

在昨天的中國閃存技術峰會上，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士發(fā)表了主題演講，指出合肥長鑫已將奇夢達的46nm內存工藝技術水平提升到了10nm級別。

在我國去年進口的3000多億美元的芯片中，DRAM內存芯片占比最高，占到了20%以上。