“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進入市場的主要原因是價格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。我個人認為2013年SiC市場將正式啟動，在未來2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場接受的產(chǎn)品。在2015年左右SiC器件產(chǎn)品良率將會大幅度提升，價格也將下降，那時SiC產(chǎn)品可能會實現(xiàn)規(guī)模應用。” 飛兆半導體                 亞太區(qū)市場營銷副總裁藍建銅告訴21ic記者。

碳化硅（SiC）市場發(fā)展預測

重點發(fā)力新能源汽車

SiC作為一種新興的半導體材料，它的主要特性比傳統(tǒng)的Si材料優(yōu)越的多，具有寬帶隙(3x Si)、高擊穿電場(10x Si)、高導熱率 (3x Si)、高溫穩(wěn)定性 (3x Si)等優(yōu)良特點。在應用在晶體管中時，可以讓晶體管具有更高的效率 (98%+)、更小的器件(>300 A/cm2)、速度更快的開關(guān)能力(<20 ns) 、穩(wěn)固可靠 (UIL, SCSOA)的特性。

藍建銅表示：“正是由于SiC具有如此優(yōu)良的特性，所以SiC器件可以廣泛應用于提升能效的應用環(huán)境，比如運動控制、HEV/EV（電動/混合動力汽車）、可再生能源、電力電網(wǎng)等環(huán)境。飛兆已經(jīng)基于SiC材料開發(fā)出了SiC BJT，我們將重點關(guān)注HEV/EV市場，這也是飛兆第一個產(chǎn)品化的SiC產(chǎn)品。”

飛兆的SiC BJT解決方案具有以下的技術(shù)特性，首先是更高的功率密度。在相同或更低損耗下采用較高的開關(guān)頻率，能夠使用較小的電感、電容和散熱片器件；在提高輸出功率同時保持系統(tǒng)外形尺寸。其次是更低的系統(tǒng)成本，對于相同的硬件，通過減少損耗和提高功率密度，減小冷卻裝置或增加功率輸出。最后是易于使用。飛兆SiC BJT具有 RON正溫度系數(shù)、簡單的基極直接驅(qū)動方案、縮短上市時間，實現(xiàn)簡便的系統(tǒng)移植。

下一步關(guān)注SiC BJT驅(qū)動IC

&ldquo;飛兆針對SiC BJT產(chǎn)品已經(jīng)有了一個完整的產(chǎn)品路線圖。現(xiàn)在飛兆SiC BJT解決方案驅(qū)動部分還是分立式的，下一步我們首先開發(fā)SiC BJT驅(qū)動IC。SiC BJT驅(qū)動器和其他以往同類器件有很大的不同，由于通過電流很大需要特需驅(qū)動IC,所以飛兆有必要開發(fā)出專屬IC，防止EMC干擾。” 藍建銅介紹說。

飛兆SiC BJT 驅(qū)動器規(guī)劃圖

在談到SiC產(chǎn)品整體發(fā)展趨勢時，藍建銅認為，現(xiàn)在SiC產(chǎn)品大多數(shù)是基于4英寸的SiC晶圓進行開發(fā)，不但良率低而且成本高昂，這會直接影響SiC市場表現(xiàn)。這種狀況應該會在未來2-3年內(nèi)有所改變。未來2—3年6英寸SiC晶圓有可能會正式進入生產(chǎn)序列，同時生產(chǎn)工藝也會得到改進，這樣產(chǎn)品良率提升后，SiC產(chǎn)品成本可能會下降到現(xiàn)在的一半，降低和現(xiàn)有Si器件產(chǎn)品的價格差距，加速SiC市場發(fā)展。