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[導(dǎo)讀]10月4日至10月8日,CEATEC JAPAN 2011(日本高新技術(shù)博覽會)在日本幕張國際展覽中心舉行。CEATEC JAPAN是展示世界最尖端技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)的IT、電子綜合展。不僅可以看到日本主要的電子公司的最新技術(shù)、產(chǎn)品、系統(tǒng)以

10月4日至10月8日,CEATEC JAPAN 2011(日本高新技術(shù)博覽會)在日本幕張國際展覽中心舉行。CEATEC JAPAN是展示世界最尖端技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)的IT、電子綜合展。不僅可以看到日本主要的電子公司的最新技術(shù)、產(chǎn)品、系統(tǒng)以及軟件等的展示,還能看到電子元件、設(shè)備、服務(wù)以及內(nèi)容等的展示,能及時地體驗到世界最尖端的技術(shù)。

此次展會,羅姆以“Power&Smart—新一代元器件創(chuàng)造未來”為主題,展現(xiàn)了SiC功率器件的最新產(chǎn)品陣容、LED和有機EL照明的新商品、實現(xiàn)個人醫(yī)療保健的傳感技術(shù)等最新信息。

羅姆展臺.jpg
羅姆展臺

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD與普通SiC制SBD相比,二極管導(dǎo)通電壓較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V,降到了以往1.2V的一半以下,低于Si制FRD(Fast Recovery Diode,快恢復(fù)二極管)的0.6V。溝道型SiC制MOSFET的特點是耐壓600V下導(dǎo)通電阻只有1mΩcm2

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SiC制SBD和MOSFET[!--empirenews.page--]

利用SiC功率元件的無線供電系統(tǒng)也是羅姆展品的一大亮點,系統(tǒng)采用電場耦合方式,發(fā)送端的逆變器電路利用了SiC溝道型MOSFET。通過利用SiC溝道型MOSFET,在6.78MHz的高開關(guān)頻率下,逆變器轉(zhuǎn)換效率高達95%。在現(xiàn)場,羅姆利用無線供電點亮了墻壁上粘貼的有機EL照明和桌上的臺燈,還為桌上的智能手機內(nèi)置的充電電池進行了充電。
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SiC無線供電
“世界最小”的03015尺寸芯片電阻器吸引了眾多觀眾的圍觀,此次的03015尺寸(0.3mm×0.15mm)芯片電阻器與0402尺寸產(chǎn)品相比,將芯片面積削減了44%。另外,通過將03015產(chǎn)品的芯片高度由0402產(chǎn)品的0.13mm降至0.1mm,芯片體積約削減了60%。高功能化和小型化同時推進的智能手機等便攜產(chǎn)品需要這種超小型部件。03015產(chǎn)品將芯片尺寸精度由原0402產(chǎn)品的±20μm提高至±5μm。由于這種電阻器看起來像沙粒,因此在此次CEATEC上,羅姆展示了使用50萬個芯片電阻器的“沙漏”。
電阻器的“沙漏”.jpg 
電阻器的“沙漏”
羅姆還展示了0.47英寸的有機EL面板,該面板主要用于數(shù)碼相機的電子取景器(EVF)和頭戴式顯示器(HMD)。該產(chǎn)品為800×600(SVGA)像素。子像素尺寸為12μm×4μm。色彩表現(xiàn)范圍按NTSC規(guī)格比為72%,對比度為3萬比1。全屏白顯示時的耗電量約為175mW。
使用40個有機EL顯示器的“光之藝術(shù)”在會場顯得格外絢麗。
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“光之藝術(shù)”
據(jù)羅姆中國營業(yè)本部副本部長村井美裕先生介紹,中國一直是羅姆的重要市場,通過四大戰(zhàn)略(功率器件戰(zhàn)略、LED戰(zhàn)略、傳感器戰(zhàn)略、相乘戰(zhàn)略),面向不同的市場,配備完備的銷售和技術(shù)支持體系,加大投資力度,在營業(yè)目標(biāo)上繼續(xù)提高中國市場份額。

 

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