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  • 20V P溝道MOSFET（飛兆）

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最

  • 漢語框架網(wǎng)絡學習策略研究

    漢語框架網(wǎng)絡包含豐富的本體語義信息。利用詞匯的語義信息來探測框架在本體體系中的關系，利用自主學習技術(shù)確定相應本體，完善漢語框架網(wǎng)絡本體的配價模式。實驗證明，本體學習策略的選取對于本體的構(gòu)建及語義檢索性能的提高，發(fā)揮了重要作用。

    模擬
    2009-08-20
    中繼 HC BSP

  • 基于改進的遺傳算法軟硬件劃分方法研究

    隨著芯片集成度的飛速發(fā)展，集成電路的設計已經(jīng)進入了片上系統(tǒng)(Soc，System on chip)的時代。傳統(tǒng)的軟硬件分開設計的方法已經(jīng)不在適合Soc設計的需要，而軟硬件協(xié)同設計技術(shù)很好解決了傳統(tǒng)設計方法所不能解決的問題。軟硬件劃分方法是軟硬件協(xié)同設計中的一個關鍵問題，從基于多目標的遺傳算法出發(fā)，主要做了兩方面的改進：一方面引入小生境技術(shù)，進一步優(yōu)化了算法；另一方面是引入精英保持策略，保證了算法的收斂性。

  • 應用于硬盤錄像機中的網(wǎng)絡EPG技術(shù)

    針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，研制開發(fā)一種可以通過網(wǎng)絡進行節(jié)目指南自動下載并存放在刻錄機中的新型EPG(即電子節(jié)目菜單)系統(tǒng)，結(jié)果在于通過網(wǎng)絡連接服務器下載EPG，快捷和可實現(xiàn)實時通訊，另可通過EPG顯示的節(jié)目名稱對未來節(jié)目進行預制刻錄。

  • 新款高壓精密運算放大器（Intersil）

    Intersil公司宣布，推出采用該公司新的專利雙極工藝技術(shù)的運算放大器家族中新成員 -- ISL28127。ISL28127是40V低噪聲雙極精密運算放大器，其噪聲和功耗分別比競爭器件減小了20%和30%。器件具有3.0nV/√Hz@10Hz的低頻

  • 研究人員研發(fā)出電子舌頭 可以嘗出味道

    在華盛頓舉行的美國化學學會第238次會議上,伊利諾伊大學香檳分校的研究人員宣布了世界上第一個“電子舌頭”傳感器.它可以根據(jù)傳感器來感應各種味道,并將結(jié)果通過顏色顯示出來,這種電子舌的外觀小巧而且可以

  • 景氣回溫　中芯國際發(fā)激勵獎金取消輪休

    晶圓代工景氣回升，不僅臺積電、聯(lián)電發(fā)激勵獎金，對岸中芯國際也跟進，近日對員工發(fā)了一封內(nèi)部信指出，有感于第2季營收達預期，第3季也呈現(xiàn)逐步提升，月輪休假全面取消，同時8月底將發(fā)放激勵獎金，9月起全面恢復季獎

  • 安捷倫與FuturePlus合推DDR3匯流排除錯解決方案

    安捷倫科技（Agilent）與FuturePlus共同發(fā)表DDR3 1866 DIMM插入式測試解決方案。這項新工具結(jié)合了Agilent 16962A邏輯分析儀模組和FS2352插入式分析測試探棒，以支援下一代雙倍資料速率（DDR）SDRAM匯流排之分析與測試

  • 運營商WCDMA終端測試體系研究

    從目前國內(nèi)WCDMA終端的入網(wǎng)測試情況來看，其測試范圍并不能完全滿足WCDMA運營商對終端的使用需求。WCDMA運營商還必須根據(jù)自身 WCDMA業(yè)務的發(fā)展需求，具體規(guī)定對WCDMA終端的技術(shù)要求和定制需求，通過制定合理的測試規(guī)

  • 奧地利微電子為樓氏提供10億顆MEMS麥克風類比IC

    奧地利微電子公司宣布，為樓氏電子（Knowles）的SiSonic系列MEMS麥克風提供第10億顆高性能類比IC。 SiSonic以樓氏電子於2002年發(fā)布的CMOS / MEMS技術(shù)平臺為基礎，至今已發(fā)產(chǎn)至第五代的矽晶麥克風產(chǎn)品，到目前為止整個

    模擬
    2009-08-20
    MEMS CMOS IC BSP

  • 4款新的30V肖特基勢壘二極管（安森美）

    安森美半導體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

  • 美光新加坡廠年底導入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身

    2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉(zhuǎn)進50納米制程，就技術(shù)角度而言相當艱鉅，且同時也需要龐大的資金挹注，才能完成整個轉(zhuǎn)換過程。 美光分析，在50納米制程上，預計每

  • 2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍 主要用途從智能手機轉(zhuǎn)向個人電腦

    根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8

  • 雙通道16位、160MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器（NS）

    美國國家半導體公司 (NS)宣布推出業(yè)界首款雙通道16位、160MSPS的流水線結(jié)構(gòu)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器。這款型號為ADC16DV160的流水線結(jié)構(gòu)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器設有兩條高速通道，其全球領先的動態(tài)性能和僅有10mmx10mm的小巧封裝，可

  • 一種新的變步長波束形成算法

    主要是以DS-CDMA系統(tǒng)中智能天線技術(shù)為研究背景。首先介紹了LS-DRMTCM算法和DR-LMS算法，然后提出了一種變步長的碼濾波波束形成算法。仿真結(jié)果表明：新算法在簡化計算的基礎上，和原算法有相近的跟蹤性，同時收斂性能有明顯的改進。

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