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  • 2009電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國(guó)際會(huì)議在北京

    電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國(guó)際會(huì)議（ICEPT-HDP）是每年中國(guó)大陸最具代表性的IC電子封裝國(guó)際會(huì)議。本屆第十屆，由北京清華大學(xué)主辦，於2009年8月11日在北京擴(kuò)大召開(kāi)，會(huì)議為期三天至8月13日結(jié)束，將為學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的

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    2009-08-12
    HD IPC EMI ICE

  • 安捷倫針對(duì)USB測(cè)試推出協(xié)定分析方案與新示波器

    安捷倫科技（Agilent）宣佈，將擴(kuò)展旗下的USB 2.0和3.0適用的測(cè)試解決方案組合。新推出的產(chǎn)品包括一款與Ellisys攜手開(kāi)發(fā)的整合式USB 3.0協(xié)定分析解決方案，以及近期發(fā)表的Infiniium 9000系列MSO混合信號(hào)示波器，這款

  • 日本將建國(guó)際性MEMS研發(fā)基地 預(yù)定2015年之前正式投入運(yùn)營(yíng)

    　 日本擬在經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立名為“JMEC”（暫稱）的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu)，與歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)比利時(shí)IMEC （Interuniversity Microelectronics Center）一樣，目標(biāo)是成為國(guó)際性的開(kāi)放式產(chǎn)官學(xué)協(xié)作研發(fā)基地。為該機(jī)構(gòu)設(shè)立的

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    2009-08-12
    汽車 MEMS BSP JAPAN

  • 美國(guó)IDT結(jié)盟臺(tái)積電 變身無(wú)工廠半導(dǎo)體商

    臺(tái)積電公司和美國(guó)老牌半導(dǎo)體公司IDT（Integrated Device Technology）公司今天共同宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，IDT目前在美國(guó)俄勒岡州Hillsboro市自有晶圓廠制造的所有產(chǎn)品將逐步移交給臺(tái)積電代工，IDT從此將轉(zhuǎn)型為無(wú)工

  • 全新納米功率運(yùn)算放大器（NS）

    美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (NS)宣布推出一款全新的納米功率運(yùn)算放大器，可提供業(yè)界最低功耗552nW，即使供電電壓低至1.6V，仍可保證正常操作。該款型號(hào)為L(zhǎng)PV521的運(yùn)算放大器屬于美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體PowerWise® 系列，由于其功

  • 光纖模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至4.92億美元

    Strategy Analytics 近日發(fā)布最新研究報(bào)告“光纖模擬芯片市場(chǎng)機(jī)會(huì)：2008-2013”?；衔锇雽?dǎo)體正在越來(lái)越多地被應(yīng)用在更高價(jià)值、更高成長(zhǎng)性的細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)上。在不斷增長(zhǎng)的光纖模擬芯片市場(chǎng)，硅 (Silicon)，硅化鍺 (

  • DRAM廠40納米開(kāi)戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

    臺(tái)系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國(guó)際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開(kāi)始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次

  • NVIDIA：我們是40nm芯片的頭號(hào)客戶

    NVIDIA宣稱，雖然自己不是第一家采納臺(tái)積電40nm工藝技術(shù)的客戶，但在產(chǎn)品規(guī)模上已經(jīng)最大，而且40nm工藝會(huì)在今后貢獻(xiàn)相當(dāng)大比例的收入。 NVIDIA總裁兼CEO黃仁勛在財(cái)務(wù)電話會(huì)議中對(duì)分析人士表示：“我想現(xiàn)在我們已經(jīng)成

  • 華邦電子將退出常規(guī)內(nèi)存芯片市場(chǎng)轉(zhuǎn)戰(zhàn)顯存業(yè)務(wù)

    華邦電子總裁詹東義宣稱，明年華邦將把常規(guī)內(nèi)存芯片的銷售額下調(diào)為10%，并將逐步退出常規(guī)內(nèi)存芯片市場(chǎng)，他們將把業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向GDDR顯存芯片，特種內(nèi) 存芯片，移動(dòng)內(nèi)存芯片以及NOR閃存方面。華邦最近與奇夢(mèng)達(dá)公司達(dá)成了

  • 新型MOSFET 器件（Diodes）

    Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。

  • 基于X9241數(shù)字電位器的可控增益放大器

    X9241是把4個(gè)E2POT數(shù)字電位器集成在單片CMOS集成電路上的一種數(shù)字電位器，其功能框圖如圖1所示，其中包含4個(gè)電阻陣列，每個(gè)陣列包含63個(gè)電阻單元，在每個(gè)單元之間和兩個(gè)端點(diǎn)都有可以被滑動(dòng)單元訪問(wèn)的抽頭點(diǎn)?；瑒?dòng)單元

  • EMC與電子設(shè)備設(shè)計(jì)的屏蔽技術(shù)

    一直以來(lái)，電磁兼容(EMC)問(wèn)題都是困擾業(yè)界的一個(gè)難點(diǎn)。文章將詳細(xì)介紹EMC的概念、設(shè)計(jì)目的以及電磁干擾(EMI)的來(lái)源與屏蔽措施問(wèn)題。并根據(jù)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上積累的一些經(jīng)驗(yàn)，介紹進(jìn)行EMC屏蔽設(shè)計(jì)的基本原則和方法。

  • 基于左手介質(zhì)的小型微帶天線

    用左手材料設(shè)計(jì)一種寬頻帶并且電尺寸小的微帶天線，先用開(kāi)口諧振環(huán)和金屬桿設(shè)計(jì)出左手材料，并把它放在微帶天線的基板中，利用左手材料的相位補(bǔ)償特性實(shí)現(xiàn)了寬帶微帶天線的小型化設(shè)計(jì)。數(shù)值仿真結(jié)果表明，工作于10．5GHz時(shí)，加載了左手材料的微帶天線的物理尺寸被大大減小了，天線尺寸從下降到0．21λ，突破了傳統(tǒng)微帶天線的半波長(zhǎng)限制，并且相對(duì)帶寬增加了5．31％，實(shí)現(xiàn)了微帶天線的小型化設(shè)計(jì)。

  • 基于數(shù)字電路中卡諾圖的應(yīng)用研究

    卡諾圖的用途不只限于化簡(jiǎn)邏輯函數(shù)，深入理解卡諾圖的內(nèi)涵，靈活地應(yīng)用它，能得到意想不到的效果。文本介紹卡諾圖在記憶格雷碼，競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)中的判斷，數(shù)據(jù)選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)和邏輯函數(shù)的邏輯運(yùn)算等方面的應(yīng)用。

  • 網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

    針對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中磁盤(pán)的I／O性能問(wèn)題，對(duì)比各種解決這一問(wèn)題的方法，提出了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的方法．網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器是通過(guò)提高處理器與存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交換的速度來(lái)提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的。通過(guò)對(duì)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的工作時(shí)間的分析證實(shí)了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的可行性，并提出三種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法。

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