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臺積電與CEA-Leti合作推動無光罩微影技術
為積極朝向22納米制程技術前進，臺積電宣布與法國半導體研究機構CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產業(yè)研究計畫，就半導體制造中的無光罩微影技術進行合作，這項計畫為期3年。
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電網諧波的產生及其檢測方法分析
0 引 言隨著現(xiàn)代電力電子技術的飛速發(fā)展，各種電力電子裝置在電力系統(tǒng)、工業(yè)、交通等各種領域得到廣泛應用，但由于電力電子裝置是一種非線性時變拓撲負荷，其產生的諧波和無功注入電網，會使設備容量和線路損耗增加，
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基于LabVIEW的食管動力檢測系統(tǒng)設計
引 言消化道的動力功能是消化系統(tǒng)重要的生理功能，消化道的動力活動是消化和吸收的基礎。近年來，由于社會競爭激烈、生活節(jié)奏加快、飲食結構變化以及人們心理、精神等因素，胃腸動力障礙性疾病(DGIM)發(fā)病率呈上升趨勢
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如何降低TD-SCDMA手機生產測試成本
對于手機產品，要想使價格具有竟爭力，在設計時采用低成本元器件僅僅是第一步。生產過程成本，特別是最終測試過程中所發(fā)生的成本對于最終產品價格有同樣重要的影響。而且，設計工程師經常會低估生產過程所增加的成本
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NI發(fā)表全新6款 PXI Express介面的切換器模組
NI全新6款切換器模組，適用於高密度矩陣、多工器、一般繼電器，與RF應用。NI PXIe-2527、PXIe-2529、PXIe-2532、PXIe-2569、PXIe-2575，與PXIe-2593切換器，亦均提供PXI版本，並幾乎可搭配任何PXI Express儀器，可提
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臺積電發(fā)布65nm多次寫入NVM技術
臺積電(TSMC)日前首度揭示了晶圓代工領域中，65納米(nm)多次寫入(MTP)非揮發(fā)性內存(NVM)的技術進展。該技術結合了與Virage Logic公司共同開發(fā)、已經過驗證的MTP IP模塊。 據(jù)表示，新技術是第一種2.5V的MTP制程，突
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瑞信調升KLA等三家半導體制造設備股評級
據(jù)國外媒體報道，瑞士信貸宣布，調升三家半導體制造設備提供商的股票評級，理由是“終端需求好于預期”。 瑞信分析師薩塔雅-卡瑪(Satya Kumar)宣布，將KLA-Tencor(KLAC)、Lam Research(LRCX)和Novellus Systems(NVL
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芯片面板價格上漲 三星二季度利潤環(huán)比增5倍
IT巨頭三星電子的股價昨日創(chuàng)造了一個月以來的新高。此前該公司預測，第二季度運營利潤有望比上季增長5倍。 在昨日一份聲明中，三星電子表示，受惠于半導體和液晶面板售價上漲，第二季度總營收將接近260.3億美元，運
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中星微第一季度凈虧損660萬美元
北京時間7月7日消息，中星微(Nasdaq：VIMC)于美國東部時間7月6日美國股市收盤后（北京時間今天早晨）發(fā)布了截至12月31日的2008年第四季度以及截至3月31日的2009年第一季度財報。財報顯示，中星微2008年第四季度凈營收
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臺積電與法CEA-Leti合作多重電子束微影技術
7月7日消息，臺積電6日宣布，已與法國半導體研究機構CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產業(yè)研究計劃，就半導體制造中的無光罩微影技術進行合作。 臺積電指出，IMAGINE研究計劃為期3年，參與的公
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DOCSIS 3.0上行放大器（Maxim）
Maxim推出DOCSIS® 3.0上行放大器MAX3518，該放大器具有業(yè)內最低的功耗和最佳的失真性能。器件配置為31dB增益和+64dBmVOUT時功耗僅為1.25W。此外，器件在發(fā)送禁止模式下具有25mW的極低功耗、10dB的噪聲系數(shù)以及60
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基于精簡協(xié)議棧的ZigBee網絡節(jié)點研究
本文對精簡版協(xié)議棧尤其是應用層接口、代碼實現(xiàn)進行了詳細的分析，并以此為基礎給出了節(jié)點的軟、硬件設計。了解協(xié)議棧的使用，就可以在其上開發(fā)適合我們需要的各種應用。
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Accutrim微調電位器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款Bulk Metal®箔超高精度AccutrimTM微調電位器 --- 1280G和1285G。這兩款長3/4英寸的直線型器件在–55 ℃～+125℃溫度范圍內、+25℃參考溫度條件下，分別具有±5
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德國智能鐵軌可預報地震
日前，德國科學家成功研制出新一代的智能鐵軌。這種鐵軌不僅可以精確測定地震波到達鐵路的時間和方位，還可分辨出地震、火車、人或動物所引發(fā)的不同震頻,從而可以避免人員傷亡。據(jù)德國《世界》介紹，這種新一代智能鐵
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聯(lián)電65納米曝良率問題 Xilinx受損
繼臺積電傳出40納米制程出現(xiàn)良率問題，聯(lián)電客戶端FPGA(Field Programmable Gate Array)芯片業(yè)者賽靈思(Xilinx)，亦傳出因65納米制程良率問題，導致高階產品Virtex-5大缺貨，且可能要到9月才能獲得解決。臺積電、聯(lián)電
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