基于開關電容濾波器的原理,提出了一種采用MAX263的新型程控濾波器的設計。該濾波器可設置為低通或高通模式,截止頻率及增益均由程序控制。整個系統(tǒng)設計結構簡單,經過實際測試具有良好效果。
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。
隨著SoC技術的發(fā)展,應用單芯片滿足應用中的各種需求已經成為一種趨勢。將更多設計中必需的通用外設集成到芯片內部,不但可以降低成本,而且可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文給出一種基于AT91SAM7X的單芯片多路USB2.O數(shù)據采集系統(tǒng)的解決方案。芯片本身集成USB2.O接口和8路10位A/D轉換器,外部標準的一5~+5 V信號可以直接接入本系統(tǒng)進行采集,達到了降低成本、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的目的。
分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結構的低噪聲放大器LNA技術:實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術并在功耗約束下同時實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術。針對其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設計方法。
到2010年,超過75%的新手機將具有MP3音樂播放功能。隨著音樂手機普及,音頻性能成為設計者的關注焦點。新手機設計將更要求改進降噪性能,意法半導體(ST)針對新的市場需求,推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。 在珍
介紹了Linear公司的雙路電流輸出的數(shù)模(D/A)轉換器LTC2753的主要特性、電路結構及應用電路。并在此基礎上設計了偏移量和增益調整電路。
低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種高性能、高效率、使用方便、成本低廉的線性穩(wěn)壓器件。首先對線性穩(wěn)壓器的基本類型作了比較,然后詳細闡述LDO的電路設計要點及LDO的布局,最后對LDO的常見故障加以分析。
日前,由臺灣地區(qū)最高經濟主管機構緊急召開的當?shù)卮鎯π酒瑯I(yè)拯救會議,并沒有出現(xiàn)期待中的直接以資金落實救援的計劃。 該機構負責人之一、“協(xié)助DRAM產業(yè)項目小組”召集人施顏祥表示,將采用直接資金援助外加整合的
花旗調降韓國海力士半導體(000660.KS)目標股價及營業(yè)利潤預測,但花旗指稱,海力士中期展望有扭轉回升的可能性。 在一份12月17日的研究報告中,花旗將海力士目標價由25,500韓圜降至22,500韓圜,并調降海力士2008年第
半導體供應商之一意法半導體與韓國最大的化工企業(yè)LG化學,公布了一項新的汽車電池組技術的細節(jié),這項技術既可以降低汽油消耗,又可減少汽車的二氧化碳排放量,可以顯著提升電動及混合動力電動汽車(HEV)的市場潛力。
意法半導體(ST)推出全新ESD保護二極管產品系列,新產品的尺寸比上一代縮小 67%,能夠承受最嚴格的IEC61000-4-2標準的 ESD測試脈沖,低鉗位電壓特性有助于提高對調制解調器等低壓芯片的保護性能。 ESDALCxx-1U2
日前,Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。
隨著HynixSemiconductor(海力士半導體公司)宣布削減20%的DRAM內存產量,以及各國政府紛紛表示將出面挽救內存市場,內存價格有了一定的提升。 近幾個月來,內存供應商一直在清理庫存,現(xiàn)在卻開始進入供不應求的局
芯片設備商叫苦,整個電子與高科技業(yè)隨之沉淪。這是非常簡單的等式。電子產品制造商向芯片制造商購買芯片,后者則向如應用材料(Applied Materials)和ASML等設備制造商購買生產設備。上游出問題,下游情況自然堪慮。
英特爾與意法半導體公司(STMicroelectronics NV)的合資子公司本周四宣布推出用于從手機、USB設備到數(shù)碼相機和MP3播放器等消費電子產品的NAND閃存產品線。 新產品采用了Numonyx最新的41納米制程工藝,其中包括用于固