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一種新型程控濾波器的設(shè)計

基于開關(guān)電容濾波器的原理，提出了一種采用MAX263的新型程控濾波器的設(shè)計。該濾波器可設(shè)置為低通或高通模式，截止頻率及增益均由程序控制。整個系統(tǒng)設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單，經(jīng)過實(shí)際測試具有良好效果。

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2008-12-25

程控濾波器 BSP KHZ 電壓
業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

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2008-12-24

器件封裝 MOSFET 導(dǎo)通電阻
AT91SAM7X的多路USB2．0數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

隨著SoC技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用單芯片滿足應(yīng)用中的各種需求已經(jīng)成為一種趨勢。將更多設(shè)計中必需的通用外設(shè)集成到芯片內(nèi)部，不但可以降低成本，而且可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文給出一種基于AT91SAM7X的單芯片多路USB2．O數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案。芯片本身集成USB2．O接口和8路10位A／D轉(zhuǎn)換器，外部標(biāo)準(zhǔn)的一5～+5 V信號可以直接接入本系統(tǒng)進(jìn)行采集，達(dá)到了降低成本、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的目的。

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2008-12-24

USB 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) AT91 SAM
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化

分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù)：實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對其固有不足，提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計方法。

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2008-12-24

低功耗低噪聲放大器設(shè)計 CMOS
全新微型濾波器（ST）

到2010年，超過75%的新手機(jī)將具有MP3音樂播放功能。隨著音樂手機(jī)普及，音頻性能成為設(shè)計者的關(guān)注焦點(diǎn)。新手機(jī)設(shè)計將更要求改進(jìn)降噪性能，意法半導(dǎo)體（ST）針對新的市場需求，推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。在珍

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2008-12-24

濾波器微型 ST EMI
基于LTC2753的數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計

介紹了Linear公司的雙路電流輸出的數(shù)模(D／A)轉(zhuǎn)換器LTC2753的主要特性、電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路。并在此基礎(chǔ)上設(shè)計了偏移量和增益調(diào)整電路。

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2008-12-23

電路設(shè)計數(shù)模轉(zhuǎn)換器 LTC BSP
低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計要點(diǎn)

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種高性能、高效率、使用方便、成本低廉的線性穩(wěn)壓器件。首先對線性穩(wěn)壓器的基本類型作了比較，然后詳細(xì)闡述LDO的電路設(shè)計要點(diǎn)及LDO的布局，最后對LDO的常見故障加以分析。

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2008-12-23

輸出電壓低壓差線性穩(wěn)壓器 LDO BSP
拯救臺灣存儲芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

日前，由臺灣地區(qū)最高經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)緊急召開的當(dāng)?shù)卮鎯π酒瑯I(yè)拯救會議，并沒有出現(xiàn)期待中的直接以資金落實(shí)救援的計劃。該機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)人之一、“協(xié)助DRAM產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目小組”召集人施顏祥表示，將采用直接資金援助外加整合的

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2008-12-23

三星爾必達(dá) 美光科技存儲芯片
花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價及營業(yè)利潤預(yù)估

花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體(000660.KS)目標(biāo)股價及營業(yè)利潤預(yù)測，但花旗指稱，海力士中期展望有扭轉(zhuǎn)回升的可能性。在一份12月17日的研究報告中，花旗將海力士目標(biāo)價由25,500韓圜降至22,500韓圜，并調(diào)降海力士2008年第

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2008-12-23

半導(dǎo)體 DRAM 海力士
LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動力電動汽車的電池技術(shù)

半導(dǎo)體供應(yīng)商之一意法半導(dǎo)體與韓國最大的化工企業(yè)LG化學(xué)，公布了一項(xiàng)新的汽車電池組技術(shù)的細(xì)節(jié)，這項(xiàng)技術(shù)既可以降低汽油消耗，又可減少汽車的二氧化碳排放量，可以顯著提升電動及混合動力電動汽車（HEV）的市場潛力。

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2008-12-23

意法半導(dǎo)體電池技術(shù) LG 混合動力電動汽車
全新ESD保護(hù)二極管（ST）

意法半導(dǎo)體（ST）推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。 ESDALCxx-1U2

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2008-12-23

二極管 ST ESD保護(hù) BSP
新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

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2008-12-23

Vishay 功率MOSFET TRENCHFET BSP
廠商控制出貨量內(nèi)存價格將上揚(yáng)

隨著HynixSemiconductor（海力士半導(dǎo)體公司）宣布削減20%的DRAM內(nèi)存產(chǎn)量，以及各國政府紛紛表示將出面挽救內(nèi)存市場，內(nèi)存價格有了一定的提升。近幾個月來，內(nèi)存供應(yīng)商一直在清理庫存，現(xiàn)在卻開始進(jìn)入供不應(yīng)求的局

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2008-12-22

DRAM 內(nèi)存控制 DDR
芯片需求降低半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備設(shè)備減產(chǎn)

芯片設(shè)備商叫苦，整個電子與高科技業(yè)隨之沉淪。這是非常簡單的等式。電子產(chǎn)品制造商向芯片制造商購買芯片，后者則向如應(yīng)用材料（Applied Materials）和ASML等設(shè)備制造商購買生產(chǎn)設(shè)備。上游出問題，下游情況自然堪慮。

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2008-12-22

半導(dǎo)體芯片 ASML ISUPPLI
英特爾合資公司Numonyx推消費(fèi)級NAND閃存

英特爾與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics NV)的合資子公司本周四宣布推出用于從手機(jī)、USB設(shè)備到數(shù)碼相機(jī)和MP3播放器等消費(fèi)電子產(chǎn)品的NAND閃存產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用了Numonyx最新的41納米制程工藝，其中包括用于固

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2008-12-22

英特爾 NAND閃存 GB MICROSD

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一種新型程控濾波器的設(shè)計

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

AT91SAM7X的多路USB2．0數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化

全新微型濾波器（ST）

基于LTC2753的數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計

低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計要點(diǎn)

拯救臺灣存儲芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價及營業(yè)利潤預(yù)估

LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動力電動汽車的電池技術(shù)

全新ESD保護(hù)二極管（ST）

新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

廠商控制出貨量內(nèi)存價格將上揚(yáng)

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