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零漂移放大器：特性和優(yōu)勢

零漂移放大器采用獨特的自校正技術，可提供適用于通用和精密應用的超低輸入失調(diào)電壓(Vos)和接近零的隨時間和溫度輸入失調(diào)電壓漂移(dVos/dT)。TI的零漂移拓撲結(jié)構(gòu)還提供了其他優(yōu)勢，包括無1/f噪聲,低寬帶噪聲和低失真——簡化了開發(fā)復雜性并降低了成本。這可以通過兩種方式中的一種來完成;斬波器或自動調(diào)零。本技術說明將解釋標準的連續(xù)時間和零漂移放大器之間的差異。

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2018-06-27

零漂移放大器
針對小型封裝放大器的替代零件選項

隨著低成本終端產(chǎn)品需求不斷增加，設計師需要設計出既能夠滿足產(chǎn)品的性能規(guī)格，又可以保持低于系統(tǒng)目標價格的創(chuàng)新方案。例如，除了放大器性能外，設計師還必須考慮所有放大器特性，包括成本和封裝尺寸。

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2018-06-27

放大器 pcb布局
安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列提供領先市場的電流密度和全集成的MOSFET

安森美半導體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

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2018-06-26

安森美 MOSFET 降壓穩(wěn)壓器
英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應鏈的前沿技術和解決方案

英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應鏈的領先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應用解決方案。此外，英飛凌的技術專家還將就產(chǎn)品和應用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。

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2018-06-25

英飛凌 MOSFET igbt
Littelfuse 碳化硅(SiC)肖特基二極管降低能源成本和空間要求

Littelfuse公司近日宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管，擴充其碳化硅電源半導體產(chǎn)品組合。相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。本次產(chǎn)品發(fā)布于紐倫堡舉行的PCIM 2018歐洲展會期間舉辦。

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2018-06-22

littelfuse 碳化硅(sic)肖特基二極管
低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。

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2018-06-22

二極管 sic
意法半導體推出離線轉(zhuǎn)換器提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

意法半導體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。

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2018-06-22

意法半導體 MOSFET 離線轉(zhuǎn)換器
超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領先的低損耗特性

英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應用而設計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能力，關斷速度可達5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎。該二極管的典型應用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設備，這些應用的特點是對功率損耗的要求很高。

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2018-06-22

igbt 續(xù)流二極管
二極管最高漲價超17倍產(chǎn)能吃緊訂單直接排到年底

業(yè)內(nèi)人士向記者表示，受到上游原材料漲價和下游應用驅(qū)動，二極管的市場價格在暴漲，原本通用型二極管——安森美2N7002，從去年每顆4分錢，最高漲價每顆到7毛錢，最高價格漲幅超過17倍。

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2018-06-15

二極管硅晶圓
夏普今年10月量產(chǎn)業(yè)界最高光輸出的綠色激光二極體

夏普此次將量產(chǎn)的綠色激光二極體的光輸出達 130mW，較夏普現(xiàn)行產(chǎn)品提高 3.3 倍，波長為 520nm。光輸出越高越能增加色彩的鮮艷度。

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2018-06-15

夏普激光二極管
手機話音，經(jīng)聽筒的聲電轉(zhuǎn)換以后送入電源集成電路

在邏輯部分，接收的RXI、RXQ模擬基帶信號在調(diào)制解調(diào)器U501內(nèi)部完成D/A轉(zhuǎn)換、解密及自適應均衡后將數(shù)字基帶信號從U501的6#送入CPU的10#，在CPU內(nèi)進行信道解碼，去掉糾錯碼源以及取實控制信息以后，恢復的話音數(shù)據(jù)流經(jīng)數(shù)據(jù)線和地址線，傳送到語音器U801進行解碼。

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2018-06-15

電源集成電路手機通訊
新品速遞：IT8900A/E大功率直流電子負載發(fā)售在即

ITECH艾德克斯電子即將于5月底發(fā)售大功率密度的直流電子負載IT8900A/E系列，電壓最高可達1200V，并機功率最大可以達到384 kW，體積更小，4U高度最大輸入6kw功率, 重量更輕。為滿足更快的測試需求，其內(nèi)部整體結(jié)構(gòu)進行了全面升級，電流上升下降速度更快，并具有超高的性價比。

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2018-06-12

直流電子負載 it8900a/e
MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮漲價不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價，預計7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價格15～20%，高單價客戶及高售價產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價格。

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2018-06-12

MOSFET igbt
英特爾已能夠生產(chǎn)多達26個量子位的量子芯片

英特爾現(xiàn)在每周能夠生產(chǎn)多達五片硅晶片，其中包含多達26個量子位的量子芯片。這一成就意味著英特爾大幅增加了現(xiàn)有量子器件的數(shù)量，并可望在未來幾年穩(wěn)步增加量子比特數(shù)。英特爾量子硬件總監(jiān)Jim Clarke接受采訪時透露，目前用于小規(guī)模生產(chǎn)的技術最終可能會擴展到超過1000個量子位。由于溫度波動引起的膨脹和收縮限制使得工程師不能簡單地擴展芯片上的量子位數(shù)。

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2018-06-12

英特爾量子計算芯片全硅晶圓
不再靠進口我國半導體集成電路用硅料已達國際一流質(zhì)量標準

電子級多晶硅材料是集成電路的關鍵基礎材料，過去中國市場上的集成電路用多晶硅材料基本完全依賴進口。電子級多晶硅是純度最高的多晶硅材料。相對于太陽能級多晶硅99.9999%純度，電子級多晶硅的純度要求達到99.999999999%。5000噸的電子級多晶硅中總的雜質(zhì)含量相當于一枚1元硬幣的重量。

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2018-06-08

半導體集成電路硅料

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