筆者提出了晶閘管組合變壓器副邊繞組改變高壓鈉燈兩端電壓,在單片機控制下精確降壓并穩(wěn)壓。筆者采用串聯(lián)變壓器副邊,利用其多繞組的不同組合,靈活升高、降低負載電壓,并結(jié)合單片機檢測實時電壓以控制晶閘管,達到
對于準分子激光放大器,由于激活介質(zhì)的上能態(tài)儲能時間很短,必須連續(xù)補充瞬態(tài)儲能(Em)才能獲得高能輸出,即E=EmT/t,其中T是增益時間,t是增益恢復(fù)時間。對于電子束泵浦的準分子激光放大器,增益時間可以長達200ns,
電路功能與優(yōu)勢圖1所示電路是一種全功能、高壓(最高44 V)、靈活、可編程的模擬輸出解決方案,它滿足可編程邏輯控制器(PLC)和分布式控制系統(tǒng)(DCS)應(yīng)用的大部分要求。AD5662 是一款低功耗(0.75 mW @ 5 V)、軌到軌輸出、
隨著能源危機的到來,高效的照明技術(shù)得到人們廣泛的關(guān)注。發(fā)光二極管LED(Light Emitting Ddiode)是利用半導(dǎo)體PN結(jié)或類似結(jié)構(gòu)把電能轉(zhuǎn)換成光能的器件,以其高效率、低功耗、低電壓驅(qū)動、使用壽命長等優(yōu)點,已在眾多應(yīng)
大多數(shù)模擬集成電路(比較器、運算放大器、儀表放大器、基準、濾波器等)都是用來處理電壓信號的。至于處理電流信號的器件,設(shè)計師們的選擇卻少得可憐,而且還要面對多得多的難題。這很不幸,因為直接監(jiān)視和測量電流有
1 引言科學(xué)技術(shù)的發(fā)展對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的采樣速率、分辨率、精度、接口及抗干擾能力等提出越來越高的要求。AD1871是目前市場上動態(tài)范圍、采樣速率和采樣精度等指標都很突出數(shù)據(jù)的一款24位ADC,它的推出為設(shè)計高速、高精
采用一個精準差分放大器的高壓側(cè)電流檢測電路 用于高壓側(cè)電流檢測的一項技術(shù)是首先對電流檢測信號進行衰減,然后采用一個差分放大器來提取并放大差分電壓。如圖1 所示,可在放大器上采用一個簡單的電阻分壓器。該電
在集成電路檢修時,經(jīng)常需要從印刷電路板上拆卸集成電路,由于集成電路引腳多又密集,拆卸起來很困難,有時還會損壞集成電路及印刷板。但是,只要我們細心觀察,善于動腦和總結(jié),完好拆卸集成電路并不是一件很困難的
為了使射頻功率放大器輸出一定的功率給負載,采用一種負載牽引和源牽引相結(jié)合的方法進行功率放大器的設(shè)計。通過ADS軟件對其穩(wěn)定性、輸入/輸出匹配、輸出功率進行仿真,并給出清晰的設(shè)計步驟。最后結(jié)合設(shè)計方法給出一
摘要 介紹了一種低相位噪聲、快速轉(zhuǎn)換頻率合成器的設(shè)計與實現(xiàn),采用DDS、變帶寬、頻率預(yù)置等多種措施,頻率轉(zhuǎn)換時間<80μs,并對實驗結(jié)果進行了分析討論。實驗結(jié)果表明,該合成器相位噪聲具有良好、鎖定時間短,適
摘要 自適應(yīng)濾波器能有效地提高雷達在復(fù)雜電磁環(huán)境下的適應(yīng)能力,在雷達信號處理機中得到廣泛的運用,其核心是使用自適應(yīng)算法,將濾波器設(shè)計成根據(jù)目標對照射信號的響應(yīng),及外界的電磁環(huán)境的變化等因素,調(diào)節(jié)濾波器的
摘要 為了降低連續(xù)相位調(diào)制(CPM)系統(tǒng)的解調(diào)門限,減少復(fù)雜編碼給系統(tǒng)帶來的運算開銷,保證系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單高效,提出一種適用于CPM調(diào)制方式的串行Turbo碼方案。該方案利用CPM調(diào)制本身的累加結(jié)構(gòu)作為串行Turbo碼的內(nèi)碼,
在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計邏輯電路時,可以結(jié)合使用標準邏輯系列與一只穩(wěn)壓器,通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外,如果邏輯并不太復(fù)雜,速度也不是非常高,可以用分立元件建立門控電路,直接用當前電壓運行。分立
比較器兩個輸入端之間的電壓在過零時輸出狀態(tài)將發(fā)生改變,由于輸入端常常疊加有很小的波動電壓,這些波動所產(chǎn)生的差模電壓會導(dǎo)致比較器輸出發(fā)生連續(xù)變化。為避免輸出振蕩,新型比較器通常具有幾mV 的滯回電壓。滯回電
由于比較器僅有兩個不同的輸出狀態(tài),零電平或電源電壓,具有滿電源擺幅特性的比較器輸出級為射極跟隨器,這使得其輸出信號與電源擺幅之間僅有極小的壓差。該壓差取決于比較器內(nèi)部晶體管飽和狀態(tài)下的集電極與發(fā)射極之